近期，灿芯股份在接受机构调研时透露，2025年第一季度，公司多个芯片定制项目将进入设计阶段，并预计在年内完成流片。

在国产自主工艺平台上，公司设计了一款MRAM控制芯片。由于其成本优势，未来在SoC设计中，这款芯片有望逐步替代外挂FLASH及片上SRAM等低速应用场景。据公司介绍，该芯片预计会经历多次迭代，具备广阔的商业化前景。

此外，灿芯股份在多工艺平台IP研发领域也取得了多项进展。基于28HKC+工艺平台，公司开发的DDR、SerDes、PCIe、MIPI、USB等高速接口IP已完成验证并实现量产交付。这些IP集成了先进的信号完整性（SI）和电源完整性（PI）设计，能够满足数据中心AI加速芯片、车载SoC等高性能场景需求，同时在复杂电磁环境下表现出更高的可靠性。

在28HKD工艺平台上，全线高速接口IP已完成客户小批量验证。新增的PSRAM和EMMC IP产品线进一步完善了公司在低功耗存储接口领域的布局。结合3D封装技术优化IP互连效率，这些IP能够适配Chiplet架构对高带宽、低延迟的需求，助力客户实现异构集成设计。

在高性能模拟IP领域，公司自主研发的4.5GHz小数分频锁相环（PLL）凭借高精度与高频性能，为多工艺平台的一站式芯片定制业务提供了关键技术支撑。该技术可广泛应用于物联网、工业控制、消费电子及网络通信等领域，为不同行业提供定制化时钟解决方案。