6月10日，罗姆宣布推出全新的SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”。这一模型在保持计算精度的同时，显著提升了仿真速度和收敛性，为功率半导体的设计验证提供了更高效的解决方案。

功率半导体的损耗对系统整体效率至关重要，因此在设计阶段进行高精度仿真验证尤为关键。据罗姆介绍，其此前推出的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”虽然在特性复现性上表现出色，满足了高精度仿真的需求，但也存在仿真收敛性差和运算时间长的问题，亟需优化。

新推出的“ROHM Level 3（L3）”模型通过采用简化的模型公式，有效解决了上述问题。相比L1模型，L3模型能够在保持开关波形精度的同时，将仿真时间缩短约50%。这使得设计人员在应用开发阶段能够更高效地完成器件评估和损耗确认，从而大幅提升设计效率。

用户可通过罗姆官网第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载该模型。

图源：罗姆