据报道，美光正式开始向部分合作伙伴出货基于1γ制程节点的LPDDR5X内存样品。这款内存专为旗舰智能手机设计，旨在提升设备的AI性能，同时兼顾功耗和体积优化。

1γ制程属于第六代10nm级别DRAM工艺，特征尺寸约为11到12纳米。按照韩国半导体行业的说法，这一工艺通常被称为1c DRAM。美光的1γ节点LPDDR5X内存目前是市场上最先进的低功耗DRAM解决方案之一，主要应用于移动设备。

这款LPDDR5X内存具备行业领先的10.7Gbps传输速度，同时功耗较上一代产品降低了20%。为了适应智能手机轻薄化设计需求，美光还优化了封装厚度，使其降至0.61毫米，比市面上的竞品薄6%，比上一代产品薄14%，成为目前行业最薄的LPDDR5X内存。

值得注意的是，这是美光首次在移动内存解决方案中采用极紫外光刻（EUV）技术。美光计划在2026年推出覆盖8GB到32GB容量的全系列LPDDR5X产品，以满足旗舰智能手机市场的多样化需求。