株洲中车董事长李东林在5月21日的“先进轨道交通行业专场”说明会上，介绍了公司在碳化硅（SiC）领域的最新进展。据透露，株洲中车正全面推进8英寸碳化硅产线建设，其中三期8英寸SiC晶圆项目已于2024年11月启动，预计2025年5月完成主体厂房封顶，并在年底前实现整线贯通。目前，公司已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片的成熟产能。

在技术层面，株洲中车已完成第三代精细平面栅SiC MOSFET的定型开发，技术水平达到行业主流。第四代沟槽栅产品设计定型后，其性能指标已基本对标国际龙头企业，达到行业先进水平。此外，公司还前瞻性布局了第五代技术研发，并在超精细沟槽栅7.5代技术方面取得国际领先地位，展现出强大的创新能力。

公司核心产品覆盖650V至6500V电压等级的SiC MOSFET，以及1200V SBD（肖特基二极管）。其中，1200V SBD已在光伏领域实现批量出货。在封装领域，SiC TO封装器件已广泛应用于充电桩、车载充电机（OBC）和电源管理等场景。此外，公司于2022年底发布的C-Power 220s平台，是国内首款基于自主碳化硅技术的大功率电驱产品，系统效率最高可达94%。目前，该平台已进入整车厂验证阶段，预计2025年实现主驱批量出货。