英伟达联手纳微半导体开发800V高压直流架构
来源:赵辉 发布时间:2025-05-22 分享至微信
5月22日,美股盘后交易中,纳微半导体(Navitas)股价飙升超过150%,原因是该公司宣布与英伟达达成合作,共同开发下一代800伏高压直流(HVDC)架构。据媒体报道,这一合作将为英伟达的“Kyber”机架级系统提供支持,特别是用于为包括Rubin Ultra在内的GPU供电。

现代AI数据中心对电力需求极高,通常需要吉瓦(GW)级别的电力来满足不断增长的AI计算负载。然而,当前数据中心普遍采用传统的54V机架内配电系统,其功率限制在几百千瓦(kW)。这种架构在功率密度、铜材需求和系统效率方面存在明显瓶颈,尤其在功率提升至200kW以上时,物理限制愈发明显。

英伟达的解决方案是通过固态变压器(SST)和工业级整流器,将13.8kV交流电网电力直接转换为800V高压直流电,从而消除多个交流/直流和直流/直流转换步骤,大幅提升效率和可靠性。纳微半导体的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术将在这一过程中发挥关键作用,有效降低铜材使用量并提高能效。

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