据韩媒ZDNet Korea援引业界消息，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人全永铉上任已满一年。这一年中，他通过推动产品开发、组织改编和内部文化改革，试图恢复三星半导体事业的竞争力。然而，外界评价褒贬不一，既有对其务实策略的肯定，也存在对成果尚未完全显现的担忧。

全永铉上任后面临诸多挑战，包括存储器市场低迷导致盈利能力下滑、高带宽存储器（HBM）商业化延迟，以及先进晶圆代工客户不足等问题。为应对这些困境，他采取了一系列措施，包括重新设计第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）以提高芯片稳定性，尽管这一调整牺牲了部分成本竞争力。

此外，全永铉还对组织架构进行了调整。2024年7月，他新设HBM开发团队，并将先进封装（AVP）事业组改为直属组织，同时缩减设备技术研究所规模，以提升研发效率。然而，三星内部“规避责任”的文化仍被视为改革中的主要瓶颈，外界期待其能以更果断的决策推动技术变革。

从2025年下半年开始，全永铉的努力成果或将逐步显现。三星计划量产1c DRAM并商业化HBM3E及HBM4，目标是成功供货给NVIDIA。这些进展将成为评估其改革成效的重要指标。