当地时间4月23日，台积电在美国举办“2025年北美技术研讨会”，探讨了半导体行业的发展趋势和技术挑战，尤其是AI驱动的技术革新。

台积电在会上表示，预计到2030年，全球半导体市场规模将达到1万亿美元，高性能计算（HPC）和人工智能（AI）将成为主要推动力。据台积电预测，到2030年，HPC/AI将占据全球半导体市场的45%，智能手机占25%，汽车电子占15%，物联网占10%，其他领域占5%。

台积电的N3系列工艺包括已量产的N3和N3E，并计划推出N3P、N3X、N3A以及N3C等版本。公司计划于2024年第四季度开始生产基于N3P工艺的芯片，N3P在相同漏电流下性能提升5%，或在相同频率下功耗降低5%至10%，晶体管密度提升4%。N3X芯片预计将于今年下半年实现量产。

台积电还披露了其下一代芯片制造工艺的进展，预计将在今年下半年开始量产N2芯片。N2工艺采用了纳米片或环绕栅极设计，相比前代技术，能够在相同功耗下实现10%-15%的速度提升，或在相同速度下降低20%-30%的功耗。N2P计划于2026年投入生产，A16工艺预计于2026年下半年开始量产，A14预计于2028年开始量产。

在先进封装领域，台积电推出了3DFabric平台，包括CoWoS、InFO和SoIC等技术，支持基于小芯片的架构、高带宽内存集成和异构系统优化。台积电的SoIC技术实现了无基板3D堆叠，允许不同节点、功能和材料的裸片通过高密度互连进行垂直集成。

此外，台积电还介绍了其在内存集成方面的进展，特别是CoW-SoW在结合HBM4上的潜力。HBM4凭借其2048位的超宽接口，有望通过与逻辑芯片的紧密集成，解决AI及HPC工作负载对高带宽、低延迟内存的需求。

台积电认为，未来的应用如增强现实眼镜、人形机器人等，也将需要先进封装技术的支持，以实现高密度、高能效的芯片集成。