据《南华早报》报道，长鑫存储近期罕见地在日本发布招聘公告，公告以中、英、日三种语言发布，目标是招募预计于2026年从海外大学毕业的集成电路（IC）设计相关人才。

此次招聘未透露具体职位数量，但要求应聘者需具备微电子或半导体设计等相关领域的硕士学位，拥有博士学位者将优先考虑。成功应聘者将加入长鑫存储的电路设计团队，参与核心技术研发工作。

长鑫存储近年来正加速扩大DRAM产能，试图挑战三星电子、SK海力士和美光等国际巨头在DRAM市场的主导地位。据韩媒《Chosunbiz》援引Omdia数据，长鑫存储的DRAM产能预计将在2025年达到273万片，同比增长68%。届时，其产能将与美光相当，并接近SK海力士的一半，有望重塑全球DRAM市场的竞争格局。

值得注意的是，长鑫存储于2020年在日本横滨和福冈设立了办事处，为此次招聘奠定了基础。此外，有消息称，在日本的游说下，美国政府未将长鑫存储列入2024年12月公布的140家中国半导体相关制裁清单中。