复旦大学的研究团队成功开发出一款名为“PoX”的超快速非易失性存储器，其写入速度高达400皮秒，为闪存技术树立了新标杆。这一存储器能够在万亿分之一秒内完成数据读写，速度远超传统存储设备。

传统的静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）写入时间通常在1至10纳秒之间，但它们是易失性存储器，断电后数据会丢失。而像固态硬盘（SSD）和USB闪存驱动器中的非易失性存储器，虽然能在断电后保留数据，但速度较慢，通常需要微秒到毫秒的时间。这种速度限制使其在现代人工智能（AI）系统中难以适用，因为AI系统需要实时处理大量数据。

PoX作为一种非易失性存储器，不仅能在断电时保留数据，还具备极低的能耗和超快的写入速度，有望解决AI硬件中的存储瓶颈问题。目前，AI硬件的大部分能耗都用于移动数据，而非处理数据。

复旦大学的周鹏教授及其团队通过重新设计闪存结构，用二维狄拉克石墨烯取代传统硅材料，实现了电荷向存储层的极快流动，有效规避了传统存储器的速度限制。周鹏在接受新华社采访时表示：“通过使用人工智能算法优化工艺测试条件，我们在这一创新方面取得了显著进展。”

研究团队已与制造合作伙伴紧密合作，完成了芯片的流片验证，并取得了令人鼓舞的初步结果。复旦大学集成电路与系统国家重点实验室的刘春森研究员表示：“我们现在能够制造出小规模、功能完备的芯片。下一步是将其集成到现有的智能手机和电脑中。”

PoX芯片不仅打破了高速与非易失性无法兼得的限制，还为AI运算升级提供了可能。其极低能耗与惊人速度能大幅减少AI运算中数据搬移产生的延迟与能源浪费，对AI芯片、机器学习与自动驾驶汽车系统等应用尤为重要。